BLF645,112 datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
  • Маркировка
    BLF645,112
  • Производитель
    NXP Semiconductors
  • Описание
    NXP Semiconductors BLF645,112 Current - Test: 900mA Current Rating: 32A Frequency: 1.3GHz Gain: 18dB ID_COMPONENTS: 3738322 Noise Figure: - Package / Case: SOT540A Power - Output: 100W Series: - Transistor Type: LDMOS Voltage - Rated: 65V Voltage - Test: 32V RoHS: yes Configuration: Dual Transistor Polarity: N-Channel Output Power: 100 W Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Continuous Drain Current: 32 A Gate-Source Breakdown Voltage: 11 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Factory Pack Quantity: 20 Other Names: 934061964112
  • Количество страниц
    13 шт.
  • Формат
    PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
  • Размер файла
    152,80 KB


BLF645,112 datasheet скачать

BLF645,112 datasheet

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.




Новости электроники

Еще новости
Золотая осень в ТМ Электроникс


Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.