18.01.2025
BLF645,112 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
-
МаркировкаBLF645,112
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
ОписаниеNXP Semiconductors BLF645,112 Current - Test: 900mA Current Rating: 32A Frequency: 1.3GHz Gain: 18dB ID_COMPONENTS: 3738322 Noise Figure: - Package / Case: SOT540A Power - Output: 100W Series: - Transistor Type: LDMOS Voltage - Rated: 65V Voltage - Test: 32V RoHS: yes Configuration: Dual Transistor Polarity: N-Channel Output Power: 100 W Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Continuous Drain Current: 32 A Gate-Source Breakdown Voltage: 11 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Factory Pack Quantity: 20 Other Names: 934061964112
-
Количество страниц13 шт.
-
ФорматPDF
-
Размер файла152,80 KB
BLF645,112 datasheet скачать
Новости электроники
17.01.2025
16.01.2025